ra3dhl (ra3dhl) wrote,
ra3dhl
ra3dhl

Categories:

К 90летию лауреата Нобелевской премии, академика РАН Ж.И. Алфёрова


Жорес Иванович Алфёров (15.03.1930 – 01.03.2019)

Жорес Алфёров родился в Витебске 15 марта 1930 года. После окончания школы в Минске с золотой медалью поступил в Белорусский политехнический институт. Проучившись там несколько семестров, перевелся в Ленинградский электротехнический институт им. В. И. Ульянова (Ленина) - ЛЭТИ, (ныне - Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет). В 1952 году с отличием его оканчивает по специальности "Электровакуумная техника".  И хотя полученная им специальность далека от физики полупроводников, тем не менее интерес к полупроводниковой электронике у него проявился еще во время учебы в институте. Что этому способствовало? Хочу напомнить, что в 1948 году был создан полупроводниковый транзистор американскими физиками Джоном Бардиным, Уолтером Браттейном и Уильямом Брэдфордом Шокли. Это важное научное открытие ознаменовало начало новой эпохи. Думаю, что не прошла мимо Алфёрова и первая публикация в СССР об усилителях на полупроводниках профессора Красилова А.В. «Кристаллический триод» в 1948 году. Огромное влияние на выбор Алфёровым полупроводниковой тематики оказала работа на кафедре основ электровакуумной техники под руководством  Наталии Николаевны Созиной. После окончания ЛЭТИ Ж.И. Алфёров был направлен на работу в Ленинградский физико-технический институт им. Иоффе и стал работать в лаборатории академика Владимира Максимовича Тучкевича младшим научным сотрудником. Здесь при участии Алфёрова были разработаны первые советские транзисторы и диоды. Кандидатскую диссертацию, посвященную исследованию германиевых и кремниевых силовых выпрямителей Алфёров защитил в 1961 году. С 1965 года – он старший научный сотрудник. Докторскую диссертацию на тему "Гетеропереходы в полупроводниках" он защитил в 1970 году, став доктором физико-математических наук. С 1972 года он - профессор ЛЭТИ. В 1973-2003 годах был заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ при ЛФТИ. В 1987-2003 годах - директор, в 2003-2006 годах - научный руководитель ЛФТИ. В 1972 году Алфёров избран членом-корреспондентом Академии наук СССР (АН СССР, ныне - Российская академия наук, РАН), в 1979 году - академиком. Всего за свою жизнь великий учёный написал более пятисот научных работ, три монографии и стал автором пятидесяти изобретений. В 1988-2004 годах – Алфёров декан физико-технического факультета Ленинградского, затем - Санкт-Петербургского государственного политехнического университета (СПбГПУ). В 2004 году он основал и возглавил кафедру физики и технологий наноструктур в Институте физики, нанотехнологии и телекоммуникаций (ИФНиТ) университета. Был научным руководителем ИФНиТ СПбГПУ.
В 2000 году Жоресу Ивановичу Алфёрову совместно с американскими учеными Джеком Килби и Гербертом Кремером присуждена Нобелевская премия по физике. Алфёров и Кремер получили ее за разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотных схемах и оптоэлектронике, Килби - за участие в изобретении первой интегральной схемы (см. https://ra3dhl.livejournal.com/29344.html) В 2001 году Алфёров учредил благотворительный Фонд поддержки образования и науки, в который ученый перечислил часть своей Нобелевской премии.
В заключение приведу высказывание о Жоресе Ивановиче Алфёрове президента РАН Александра Михайловича Сергеева: «Жорес Иванович - не только великий ученый, но и человек, который очень многое сделал для РАН, в самое сложное время защищавший ее позиции и ее престиж на всех самых высоких уровнях. Используя свои позиции во власти, всегда стоял на страже российской науки и в самые сложные годы нового российского времени стал для отечественной науки самым страстным защитником».
Рекомендую статью об Жоресе Ивановиче Алфёрове под названием "Человек - эпоха" здесь
http://www.sovross.ru/articles/1962/48026
Subscribe
  • Post a new comment

    Error

    Anonymous comments are disabled in this journal

    default userpic

    Your IP address will be recorded 

  • 0 comments